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■[36] 松本徹、伊藤誠吾、後藤安則,"微小電界センサによる無バイアスでのIGBT 欠陥観察",電子デバイス/半導体電力変換合同研究会,産業技術総合研究所 TIAナノ連携棟,2014年10月30日-31日,EDD-14-080 SPC-14-142. <Abstract>,<Proceeding>

■[35] 眞田克、伊藤誠吾,　”準静電界を用いた LSI の評価・解析方式”　STARCワークショップ　2014　新横浜国際ホテル南館　2014.9.3 ,<Poster>

■[34] 松本徹、伊藤誠吾、後藤安則, "微小電界センサによる無バイアスでのIGBT 観察"、日科技連 第44回信頼性･保全性シンポジウム予稿集，pp.127-132, 2014.07 , <Proceeding>　

■[33] 伊藤誠吾、"特別講演「準静電界検出センサーの開発と電子デバイス評価 への応用」”　ナノシンポジウム　2013　高知工科大学C 棟1F C102、2013年11月16日.

■[32] 松本徹、伊藤誠吾、後藤安則,"微小電界センサによるIGBT の無バイアス観察 "第33回ナノテスティングシンポジウム(NANOTS2013), H25.11.13-15 Page 55-58、<Abstract> <proceeding>

■[31] 眞田克、伊藤誠吾、"準静電界センシングによるLSIの内部構造の評価 "、高知工科大学紀要、第10巻　第1号、Volume 10,NO.1 2013.7, Page 113-120, <Abstract> <Proceeding>

■[30] S.ito, T.Matsumoto　etc.,"A failure analysis technique using the Nano Electrostatic field Probe Sensor (NEPS)", Proceeding of IPFA 2013, 15-19 July 2013, Page 493 - 496. <Abstract> <Proceeding>

■[29] 伊藤誠吾、松本徹, "微小電界センサNEPS を用いた故障解析", 第32 回LSI テスティングシンポジウム予稿集、ｐｐ205-210(2012). <abstract> <proceeding>

■.[28] 伊藤誠吾，滝口清昭, "レーザ微小領域電界センサを用いた故障解析"，独立行政法人宇宙航空研究開発機構　宇宙科学研究所　第22回　高温エレクトロニクス研究会，pp5-18，2012.03. , <Poster>

■[27] S. ITO, H. SODEYAMA , K. TAKIGUCHI ," Failure Analysis Method of Using Laser Nano Electrostaticfield Probe Sensor (L-NEPS)", ISTFA 2011 International Symposium for Testing and Failure Analysis Venue, pp.387-392, 2011.11 ,((Best Poster Award!)), <abstract> <paper>

■[26] 伊藤誠吾，滝口清昭，松本徹, "レーザ微小領域電界センサを用いた故障解析"，第31回 LSIテスティングシンポジウム，pp.231-236, 2011.11 , <proceedig>

■[25] 伊藤誠吾，滝口清昭, "加速電極による準静電界を用いた故障解析技術"，日科技連 第41回信頼性･保全性シンポジウム予稿集，pp.167-172, 2011.07 , <proceeding>

■[24] S. ITO, K. TAKIGUCHI, H. SODEYAMA, T. MATSUMOTO, " Failure Analysis of Semiconductor Device using Nano Electro-static field Probe Sensor (NEPS)". Proceeding of 18th IPFA, pp.172-176, 2011.07 , <Paper>

■[23] 伊藤誠吾,滝口清昭, " 【講演】準静電界を用いた半導体デバイスの先端解析手法と活用事例", 2011年5月26日〜27日，第23回 半導体ワークショップ，浜松市 アクトシティ浜松 , <poster>

■[22] 伊藤誠吾，滝口清昭,"［招待講演］レーザ励起による準静電界を用いた故障解析手法"，IEICE　電子情報通信学会信頼性研究会，pp.23-28, 2011.05 , <proceeding>

■[21] K. TAKIGUCHI, S. ITO, K. KOUNO, H. SODEYAMA," Advanced Achievement of Microelectric Fields’ Measurements and Potential Applications for Living Organisms.　　Journal of International Society of Life Information Science (ISLIS)", The 31st Symposium on Life Information Science, Vol.29, No.1 pp.9-22, 2011.03, <abstruct> <paper -e, -j>

■[20] 伊藤誠吾，滝口清昭,"ターゲット励起による準静電界を用いたセンシング手法"，2010 LSIテスティングシンポジウム予稿集，pp.249-254, 2010.11 , <proceeding>

■[19] 伊藤誠吾，桑島徹,　"微小静電界検出プローブによる故障解析手法"，2009 LSIテスティングシンポジウム予稿集，pp.331-336, 2009.11. , <abstract> <proceeding>

■[18] LSIテスティング学会　”LSIテスティングハンドブック”、�潟Iーム社　2008年11月、5.3 光ビーム誘起電流法（OBIC）と故障解析への応用、page 304-307. <5.3-pdf>

■[17] 棚橋克人,増田崇,足立和宏,田中和美,森年史,福山俊一,伊藤誠吾, "光学的手法によるLSI 故障解析技術の開発−非接触・ノンバイアス法−"，第28回LSIテスティングシンポジウム(LSITS2008), H20.11.12-14)，pp.333-338, 2008.11. <abstruct> <proceeding>

■[16] 古谷仁, 石井俊哉, 田中和美, 伊藤誠吾, 中村誠,　"電子ビーム照射によるＬＳＩの故障解析技術"，LSIテスティングシンポジウム/2007 (H19.11.7-9)，pp.287-292, 2007.11. <proceeding>

■[15] 伊藤誠吾,”近赤外レーザ光加熱技術を用いた動的故障解析”,金沢工業大学 デバイス信頼性シンポジウム 2007 予稿集PP.276-283. <OHP>

■[14] 伊藤誠吾, 丹藤安彦、坂井太一, 　”レーザビーム光を用いたＬＳＩのダイナミック故障解析事例”,　LSTテストシンポジウム 2005、会議録 PP.309-314. <abstruct> <proceeding>

■[13] 伊藤誠吾、"SDL法によるLSI回路のダイナミック不良解析"、信頼性シンポジウム発表報文集 2005_秋季(17), 43-46, 2004-11-19 [目次] 日本信頼性学会 　<paper>

■[11] 伊藤誠吾 丹藤安彦 坂井太一, "レーザビーム光照射によるＬＳＩ回路のダイナミック不良解析",LSTテストシンポジウム 2004、会議録 PP.303-308. <abstruct> <proceeding>

■[10] 伊藤誠吾, 坂井太一, "ＳＤＬ法によるＬＳＩ回路のダイナミック故障解析",秋期 REAJ(日本信頼性学会)シンポジウム 2004, 予稿集 PP.89-92. <abstruct> <proceeding>

■[9] Seigo Ito, Yashuhiko Tando, " Failue Analysis Method by Using Different Wavelengyhs and Its Appolication.",ESREF(European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis) 1999, Proc. PP.1015-1020. <contents> <proceeding>

■[8] 伊藤誠吾、丹藤安彦,　”２波長レーザビーム同時照射法を用いたLSIの故障解析とその応用”,　LSTテストシンポジウム 1999、会議録 PP.336-341, <abstruct> <proceeding>

■[7] Seigo Ito, Hideo Monnma ” Failure Analysis of Wafer using Backside OBIC Method”ESREF(European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis) Proc. pp.993-996(1998). 　<contents> <proceeding> <paper>

■[6] Teruo Suzuki, Seigo Ito, Hideo Monma,"ESD Characteristics of A Lateral NPN Protection Device in Epitaxial and Non-Epitaxial Substrates." ESREF(European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis) 1997, Proc. PP.1453-1456. <.abstruct-j, -e> <proceeding -j, -e>

■[5] 伊藤誠吾,　”裏面OBIC法による半導体デバイスの故障解析事例”JEOL Digital OBIC セミナー 97, 1997年11月14日 予稿集　page. 53-61. <subject> <proceeding>

■[4] 鈴木輝夫, 伊藤誠吾, 門馬秀夫,　”エピタキシャル基板を用いた半導体デバイスのESD特性” ,RCJ(日本電子部品信頼性センター)EOS/ESDシンポジウム 1996, 予稿集 Page. 25-30. <abstruct>, <proceeding>

■[3] 柏木隆光、伊藤誠吾、門馬秀夫、”裏面ＯＢＩＣ法を用いた故障解析事例”JEOL Digital OBIC セミナー 96, 1997年10月20日 予稿集　page. 16-25. <abstruct> <proceeding>

■[2] 伊藤誠吾、加藤隆博、柏木隆光、門馬秀夫、丹藤安彦、”OBICを用いたLSIの故障解析事例”JEOL Digital OBIC セミナー 95, 1995年（H7）9月26日 予稿集　page. 15-21. <subject> <proceeding>

■[1] 伊藤誠吾,　”微小電流測定による静電気破壊特性”,RCJ(日本電子部品信頼性センター)EOS/ESDシンポジウム 1992, 予稿集2E-3 Page. 13-18. <proceeding>

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